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镀膜机

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镀膜机

镀膜机概述

镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜,具体包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,PLD激光溅射沉积等很多种。蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面,通过成膜过程形成薄膜。溅射镀膜,利用电子或高能激光轰击靶材,并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来,并且最终沉积在基片表面,经历成膜过程,最终形成薄膜。
高分解离子束镀膜仪

高分解离子束镀膜仪

品牌:Gatan
型号:681
PTL-OV6P 6工位提拉涂膜机

PTL-OV6P 6工位提拉涂膜机

品牌:沈阳科晶
型号:PTL-OV6P
Dipcoater浸渍镀膜机

Dipcoater浸渍镀膜机

品牌:白罗斯MTM
型号:Dipcoater
PTL-OV5P全自动5工位恒温提拉涂膜机

PTL-OV5P全自动5工位恒温提拉涂膜机

品牌:沈阳科晶
型号:PTL-OV5P
PECVD沉积

PECVD沉积

品牌:美国Trion
型号:Minilock-Orion III PECVD
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精密刻蚀镀膜仪

精密刻蚀镀膜仪

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 682
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号682精密刻蚀镀膜仪(PECS) 用于SEM、TEM和EM方面的精密刻蚀镀膜系统 PECS是一台理想的具有斜面切割,样品刻蚀和离子溅射镀膜功能的仪器,其刻蚀和溅射镀膜系统中独一无二的离子束能够形成镀膜范围大、干净以及可视的样品满足扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)以及光学显微镜(LM)的需求。PECS中独一无二的设计结构使其成为非常通用的仪器,可选配型号682.40000的斜面切割工具,它是用于切割横截面部分的独特工具。技术参数:规格: 离子源 离子枪 三个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 刻蚀枪 5mm FWHM;溅射枪 1mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 刻蚀范围 根据离子枪能量为7mm-10mm不等 刻蚀速率 10.0keV下,硅材料约10m/小时,钨材料约3m/小时 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60 rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 镀膜 镀膜速率 10.0KeV下约0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 铬 镀膜范围 均匀直径超过30mm 耙材装置 一方双重耙材,可在真空状态下从外直接选择耙材 耙材材质 四种耙材选择(见详细清单) 厚度监控器 标准-显示镀膜速率和全部镀膜厚度 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个70 升/秒涡轮泵 压力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本压力 6E-5 托(8E-3Pa)工作压力 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 液态氮阀 约5小时容量(标准) 活性碳过滤器 真空排气装置,以减少碘蒸汽排放到安全标准 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 替代气体(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反应离子束刻蚀(结晶碘由用户自行提供)主要特点:湿化学刻蚀的替代或补充 可控的重复性结果(离子枪电压,离子束电流和刻蚀时间) 刻蚀和镀膜在同一真空腔内进行减少样品处理 样品刻蚀后立即镀膜,排除样品污染 包括一个膜厚度监控器精确控制薄膜厚度 高样品生产量,专利Whisperlok能快速、简单进行样品交换 Whisperlok具有使样品同时旋转和摇动保证刻蚀和镀膜均匀的特点 反应离子束刻蚀(RIBE系统) 无化学处理或操作安全 PECS使用手册 一般来说,如果材料的组成具有不同的化学性质,通过常规化学刻蚀方法不可能揭示一种不同组成的材料其各个相的结构。但离子束刻蚀技术在这些实例中效果不错。这种方法在金相学中比较重要的一个用途是用于具有极端不同化学潜能的金属化学物的刻蚀。应用实例显示,通过离子束刻蚀方法可以证明不同种类材料是通过不同加工工艺制得。 测试过程和结果 PECS(精密刻蚀镀膜系统)中包含离子束刻蚀系统。系统中的大离子束源产生一个光束直径为10mm的垂直入射离子束源给样品,根据离子枪参数(离子枪电压和离子束电流)。使试样倾斜,如改变入射角以及刻蚀过程中旋转试样,刻蚀直径可以进一步扩大。虽然金属的各种化学组成非常不同,离子束刻蚀却可以同时且完全地揭示各化合物的结构。DIC(微分干涉对比)可以用来增强由离子轰击产生的刻蚀引起的特性反差。单个化合物溅射范围在优化离子束刻蚀复合材料方面具有重要作用。虽然表面层和底层化学特性有巨大差异,但是其溅射范围相近。 可选配斜面切割工具 型号682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均质/非均质材料横截面可组合切割并最小化减少其机械变形或损坏。 现有 使用精密刻蚀镀膜仪(PECS)的SEM技术是一本32页的小册子,配以使用Gatan PECS得到的高质量照片以及利用PECS如何达到最佳结果的“方法”。主要包括清洁、镀膜、刻蚀、金相、EBSD、DIE包覆、以及碳、铬、铂、金、钯的溅射速率表。。

高分解离子束镀膜仪

高分解离子束镀膜仪

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 681
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号681离子束镀膜仪 用于扫描电镜和透射电镜的离子束镀膜系统 型号681离子束镀膜仪采用独特的离子溅镀技术得到连续,超薄,无定形像镀膜样品,非常适用场发射扫描电镜(FESEM)和透射电镜(TEM)的需要。与只能得到粗糙喷镀效果的传统镀膜技术如热蒸镀、电磁管或RF溅镀等相比,具有非常明显的优势。 两束离子源能够提供高速的溅镀速率,根据耙材、离子束强度和镀膜厚度的不同,镀膜时间范围从10秒到2分钟不等。 WhisperlokTM 机械装置能够在装样和换样时保持腔体的真空状态,避免再次抽真空,真正实现“快速换样”(<1分钟)。另一个重要特点是能够提供不同的样品旋转和摇摆速率,确保样品镀膜均一。 TEM WhisperlokTM 适配器(可选配)适用于所有TEM或SEM侧插样品载台的制造。如果需要,样品可以使用TEM生物冷冻样品载台在较低温度下镀膜。 多重耙材:耙材交换仪器可以在保持真空的情况下极短时间内选择两个可用耙材中的任意一个。增加第二个耙材交换仪器(可选配)即可再增加两个耙材,用户可以同时使用四个耙材中的任意两个。隐藏在腔体内的耙材完全与溅射污染物隔离。 Gatan离子束镀膜仪是一台具有便捷、高效以及可靠性特点的精密台式装置。通过它能够得到超细晶粒/非晶及非人工镀膜,能够满足高分辨率场发射电镜的更高要求。样品能够快速镀膜且只产生极小的热量。 可选配的测膜厚度仪(FTM)能够连续测量沉积速率并不断改进控制膜厚度。 规格: 离子源 离子枪 两个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 约1mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 镀膜 镀膜速率 10.0KeV下约0.5 /秒 碳 及 1.5 /秒 铬 镀膜范围 均匀直径超过1英寸 耙材装置 一方双重耙材,可在真空状态下从外直接选择耙材 耙材材质 四种耙材选择(见详细清单) 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个60 升/秒分子泵 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 液态氮阀 约5小时容量(标准) 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 保修 一年

多发射极晶体管刻蚀

多发射极晶体管刻蚀

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 683
  • 产地:美国
  • 仪器简介:型号683金属刻蚀 离子束刻蚀金相材料的制备 金相刻蚀仪提供一个离子束刻蚀是有多功能的PECS系统的一种功能。其成本经济,价格适宜,且使用新一代仪器制备金相样品时不需要溅射镀膜。典型应用包括扫描电子显微镜(SEM或高分辨率FESEM)和光学显微镜(LM)。高质量样品在一个干净的环境中制备,过程可控且结果可重复。离子束刻蚀技术可以避免湿化学刻蚀所带来的危险及消耗。金相刻蚀仪提供众多独具特色技术比如682.40000斜面切割工具,适用于横截面切割方面的特殊工具。 化学刻蚀的替代或补充 简易使用可重复的结果与控制 减少样品处理 无样品污染 高样品生产量,专利Whisperlok能快速、简单进行样品交换 Whisperlok具有使样品同时旋转和摇动保证刻蚀和镀膜均匀的特点 低成本的所有权 反应离子束刻蚀(RIBE系统) 无化学处理或操作安全

682.400斜面切割工具

682.400斜面切割工具

  • 品牌: 美国Gatan
  • 型号: 682.400
  • 产地:美国
  • 仪器简介:可选配斜面切割工具 型号682.40000斜面切割工具(SC-Tool)- 提供均质/非均质材料横截面可组合切割并最小化减少其机械变形或损坏。 规格: 离子源 离子枪 一个潘宁离子枪与微型稀土永磁体 离子束能量 1.0 KeV 到10.0 KeV 离子束直径 5mm FWHM 离子电流密度 峰 10mA/cm2 气体流量 氩气 0.1cc/分/枪 刻蚀范围 根据离子枪能量为7mm-10mm不等 刻蚀速率 10.0keV下,硅材料约10m/小时,钨材料约3m/小时 Airlock组装 样品载台 接纳1英寸(31mm)金相套和多种SEM短截线 样本旋转速率 可变速率10-60 rpm 样品倾斜角度 固定角度或可变摇摆角度(0° - 90°) 样品摇摆速率 可变速率5°/秒 - 36°/秒 选配 用于侧插TEM的TEM适配器或SEM样品载台 真空 干燥泵系统 两个部分,隔膜泵搭配一个70 升/秒涡轮泵 压力 5E-6 托(6.6E-4Pa)基本压力 6E-5 托(8E-3Pa)工作压力 真空计 样品腔冷阴极规,搭配固态压力传感器 样品调换 Gatan专利 WhisperlokTM,样品更换时间<1分钟 活性碳过滤器 真空排气装置,以减少碘蒸汽排放到安全标准 尺寸及功率 总尺寸 560mmW x 480mmD x 430mmH (22W x 19D x 17H) 货运重量 45kg (100 lbs) 电源要求 通用电压 100VAC-240VAC,50/60Hz 用户需确定电源型号以保证正确的线路 能量消耗 运行时需200瓦特,离子枪关闭时需100瓦特 气体需求 氩气 70psi (4.82 bar) 替代气体(其它惰性)20psi (1.38 bar) 碘蒸汽用于反应离子束刻蚀(结晶碘由用户自行提供) 保修 一年 斜面切割工具 斜面切割工具是标准PECS载台的一个直接替代工具 Gatan的精密刻蚀镀膜仪(PECS)是一个多功能的仪器,根据操作条件和参数提供各种功能应用于透射电镜和扫描电镜。这些特点包括离子束清洗、平滑、细化、选择性刻蚀、溅射镀膜和斜面切割。单独使用斜面切割得不到高质量图像适应当今扫描应用所需;但当配合使用PECS,其独特切割、刻蚀和镀膜一体的特点使得样品图像具有高清晰度和高质量。 什么是离子束斜面切割? 斜面切割技术是一个样品使用平行离子溅射后,再由一个屏幕观测器检测其明显边界,在未溅射部分与溅射部分之间进行斜面切割。这个斜面切穿材料而且无变形。使用离子束切割的时候,因为离子束是从上方打下来,不可以选择刻蚀的区域。无论什么样的材料,都可以被切割成一个平滑的表面。摇动样品可避免折皱。 斜面切割基本原理 斜面切割使用的材料: l 难刨光软性材料:铜、铝、金、铅或无铅焊料。 l 难切割硬性材料:陶瓷、碳化物和这些材料的复合材料。 由斜面切割工具制得的横截面部分适合于能谱仪、波谱仪、螺旋钻和EBSD分析、观察和测量,也适合多层结构测量。 离子束斜面切割表面可以进一步改进离子束额外的加工步骤。定向短离子特定轰击斜面有助于消除再沉积,也有助于选择性刻蚀切割面以增强内部颗粒和相结构的清晰度。 型号682 PECS斜面切割 PECS斜面切割技术 PECS斜面切割在横截面刨光类(CP)工具中具有多重优点。 离子束加工三个步骤: 步骤一:斜面切割 步骤二:选择性刻蚀 步骤三:如需要溅射镀膜 步骤一 斜面切割 PECS的优点: 1. 切割90° 横截面部分(半导体) 2. 切割45° 横截面部分(均相/非均相) 3. 切割30° 横截面部分(均相/非均相) 4. 长切割长度 8mm(相对于1.5mm) 5. 切割的深度由以下因素决定 l 离子束电压(2.5keV - 10.0keV) l 离子束电流(10.0keV下最大610 uA) l 材料 l 时间 6. 由于PECS斜面切割工具不能破坏初级上层表面因此使用3D观测器观察各相异性固相结构,进一步提高样品检测结果: l SEM顶部观测(初级表面) l SEM观察切割斜面 l SEM观察溅射范围 步骤二 选择性刻蚀(不适用于横截面刨光类工具) 1. 选择性离子束刻蚀和/或刨光 l 能够装饰切割表面 l 揭露内部颗粒/相结构 l 刻蚀确定表面分布 2. 离子束刻蚀可选择多种气体 l 氩气 l 疝气 l 氪气 l 碘蒸汽 步骤三 溅射镀膜(不适用于横截面刨光类工具) 1. 如需要溅射镀膜 2. 高分辨率显微镜离子束镀膜消除电荷 3. 超过20种耙材可供选择 PECS刻蚀和斜面切割应用 1. 控制样品去除材料时无机械损伤(深度压型或免除机械损坏)。 2. 通过惰性气体或反应离子选择性离子束刻蚀多晶体和不同种类材料的颗粒,相,缺陷结构。 3. 离子束斜面切割(IBSC)对于大部分试样材料(金属、合金、复合材料、半导体、陶瓷、高分子、生物材料),都可以在显微镜下精确选定的位置无损切割任何所需角度的表面。 l 界面(硬/软材料组合) l 层体系(厚、薄膜技术) l 改进近表面地区(如变形、放射或腐蚀) l 微观结构(集成电路、化学键接触) l 非大量材料(多孔材料、金属丝、粉末、独立的金属箔片)。 4. 扫描电镜中观察所用的绝缘体需通过离子束溅射镀膜覆盖来导电或为了其他原因(离子束斜面切割之前样品表面需镀膜用以保存或标明原样品表面)。 一般同类产品的工具其特殊功能只有一个 - 离子束垂直切割通过不同种类样本。而PECS则不同,它可以随意选择刻蚀或溅射镀膜工艺。和其他工具相比PECS具有多功能、多重处理功能的特点,各类样品和应用领域都可以使用,并且PECS还可以容纳更大尺寸的样品。

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